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biRAPID
SiCインバータ
Hブリッジ回路ブロック
HGCB-4A-401200

SiCのHブリッジインバータ

SiC-MOSFET4個をHブリッジ構成で搭載し、およそハガキサイズのフットプリントのコンパクトなインバータ回路ブロックです。
ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大定格電力4kVAの単相インバータ駆動が可能です。
また、本回路ブロック4式を、冷却機構付きの筐体に搭載したセットでのご提供も可能です。
電圧センサ回路も搭載しています。

SiCのHブリッジインバータ

ゲート電源とゲート信号の入力のみで動作可能
接続変更で単相インバータ、チョッパ回路に切替

電圧センサ回路搭載

センサからの検出信号を制御にフィードバックが可能

HGCB-4A-401200仕様

装置サイズ W: 150mm / D: 110mm / H: 54mm
W: 162mm / D: 170mm / H: 246mm
HGCB-4A-401100
HGCB-4x4A-401100
直流側電圧範囲 0V~400V DC+、DC-端子間電圧
交流側最大電流 20Arms LおよびN端子電流
交流側定格電力 4kVA AC200V、10Aを想定
スイッチング周波数 200kHz
デッドタイム 200ns以上
制御電源 DC24V
電圧センサ 400V / 4V

外部インターフェース仕様

ゲート信号 Input 5VTTL / 負論理 / 10kΩプルダウン抵抗内蔵
エラーリセット信号 Input 5VTTL / 負論理 / 10kΩプルダウン抵抗内蔵
エラー信号 Output 5VTTL / 負論理 / 10kΩプルダウン抵抗内蔵
エラー信号(エラーリンク機能) Input / Output 複数の本基板でエラー状態を共有し、同期して停止(ゲートブロック)することが可能

セット商品

HGCB-4x4A-401200
SiC Hブリッジ基板4枚と冷却機構​付き筐体のセット​
モジュラーマルチレベル変換器​(MMC)を構成される場合等に​便利

機能ブロック図