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biRAPID
SiCインバータ実験セット
HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット
多数の回路構成・動作条件で実験

SiC三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。
ROHM製SiC-MOSFETを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVAでの動作が可能です。24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。

すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット

電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能

多数の回路構成・動作条件で実験

サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能
操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更

ソフトウェア開発も

HSDT-KIT-B(パワーエレクトロニクス開発用キット)併用でソフトウェア開発も可能

HEK-INV-A仕様

直流側電圧範囲 0V〜400V P-N端子間電圧
交流側最大電流 30Arms U、V、W端子電流
最大スイッチング周波数 200kHz ロータリースイッチによって選択可能
最小デッドタイム 200ns ロータリースイッチによって選択可能
操作スイッチ トグルスイッチ8個 / ロータリースイッチ1個
表示用LED 黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個
制御方式 チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力 スイッチにより制御方式が選択可能
保護機能 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能
制御電源 AC100V
装置サイズ W: 215mm / D: 125mm / H: 130mm 三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置

動作条件設定項目

運転/停止 ゲート出力 / ゲート停止
回路構成 チョッパ動作 / インバータ動作
単相出力 / 三相出力
チョッパ動作時はU相のみ使用
単相出力時はU相とV相を使用
変調方式 ユニポーラ変調 / バイポーラ変調
三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調
単相出力時
三相出力時
スイッチング周波数設定 10kHz〜200kHz ロータリースイッチにて切り替え可能
デッドタイム設定 200ns〜600ns ロータリースイッチにて切り替え可能
変調率設定 0〜1
インバータ基本波周波数 50Hz〜500Hz

構成図

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