ヘッドスプリングでは、パワーエレクトロニクス開発において最先端の技術とノウハウを駆使し、製品の最適化を図っています。パワーエレクトロニクスの開発には、多様な技術を統合し、各部門との調和を図りながら進める必要があります。そのため、豊富な知識と経験が不可欠です。

私たちは、属人的になりがちなパワーエレクトロニクス開発のプロセスを受託開発を通じて体系化し、データ化することで再現性の高い開発環境を構築しています。さらに、小型化・高効率化の切り札である「次世代パワー半導体（SiC/GaN）」を活用し、高度な製品を短期間で開発することが可能です。

ヘッドスプリングは、これらの取り組みにより、お客様に対して最先端かつ高品質なパワーエレクトロニクス製品を提供し続けます。

技術の特徴

・次世代パワー半導体SiC、GaNの活用
・絶縁双方向技術　・モジュール構造

コア技術

従来比1000倍の50MHzの高速制御性能を持つパワーエレクトロニクス用超高速コントローラを開発