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技術の特徴

次世代パワー半導体SiC・GaNの活用
SiCやGaNなど次世代パワー半導体の活用を始めとした先端的なパワーエレクトロニクスの技術開発に取り組み、技術的・論理的な理解を深めています。
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絶縁双方向技術
ヘッドスプリングの得意とする電力変換器技術の一つに『絶縁双方向技術』というものがあります。 これは、1次側↔2次側を電気的に絶縁しつつ、1次側から2次側、逆に2次側から1次側への両方エネルギーの流れを小型・軽量な構成で可能とする技術です。
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モジュール構造
回路やモジュールは少しのパラメータの変更だけでも設計が変わる為、一品一様の設計になりがちで手間がかかります。ヘッドスプリングはハードウェア、ソフトウェアのモジュールを自社内で保有しているため、少しのカスタマイズでシステム構築を迅速に行えます。
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