パワー半導体信頼性評価向けテストシステム パワー半導体(IGBT,SiC,SBD)パワーモジュールに最適 IGBTをはじめSiCパワー半導体は、高効率な電力変換を可能にするキーデバイスとして注目されています。特に電気自動車（EV） や再生可能エネルギー分野での活用が拡大しており、グリーン投資の増加を背景に、市場規模は今後順調に成長すると予測されています。 パワー半導体の需要が順調に増加し、自動車をはじめ多様な製品への採用が進む中、製品(デバイス)の長期信頼性やパッケージの熱特性に関する評価がますます重要になっています。 こういった市場動向に追従し、効率良く信頼性評価を進められるよう、半導体評価装置を準備いたしました。 本装置は、AEC-Q101、AQG324、JESD22などの信頼性規格に準拠した試験が可能であり、特に車載用途で求められる厳しい環境下での評価に最適です。以下の試験項目に対応する装置をラインアップしています。 評価対応可能項目一覧 ・高温順バイアス試験 ・高温逆バイアス試験 ・高温ゲートバイアス試験 ・高温高湿逆バイアス試験 ・ダイナミック逆バイアス試験 ・ダイナミック高温高湿逆バイアス試験 ・ダイナミック高温順バイアス試験 ・パワーサイクル試験 ワンストップ評価請負サービスの提供 信頼性評価装置を保有していないお客様向けに、「パワー半導体向け信頼性評価装置」を活用した評価請負サービスの提供をお客様のご要望に応じて対応します。単一の装置で実施する評価試験に加え、複数項目の試験実施、規格に準拠した試験の実施、また提携機関と連携した物理解析を含め、信頼性評価の全工程を一括して提供するワンストップサービスを実現します。 ご依頼の場合は、予め評価項目や対象となるデバイスの詳細をご相談ください。