パワー半導体(IGBT,SiC,SBD)パワーモジュールに最適

IGBTをはじめSiCパワー半導体は、高効率な電力変換を可能にするキーデバイスとして注目されています。特に電気自動車（EV） や再生可能エネルギー分野での活用が拡大しており、グリーン投資の増加を背景に、市場規模は今後順調に成長すると予測されています。
パワー半導体の需要が順調に増加し、自動車をはじめ多様な製品への採用が進む中、製品(デバイス)の長期信頼性やパッケージの熱特性に関する評価がますます重要になっています。
こういった市場動向に追従し、効率良く信頼性評価を進められるよう、半導体評価装置を準備いたしました。
本装置は、AEC-Q101、AQG324、JESD22などの信頼性規格に準拠した試験が可能であり、特に車載用途で求められる厳しい環境下での評価に最適です。以下の試験項目に対応する装置をラインアップしています。

評価対応可能項目一覧

• ・高温順バイアス試験
• ・高温逆バイアス試験
• ・高温ゲートバイアス試験
• ・高温高湿逆バイアス試験
• ・ダイナミック逆バイアス試験
• ・ダイナミック高温高湿逆バイアス試験
• ・ダイナミック高温順バイアス試験
• ・パワーサイクル試験

試験装置ラインアップ