電子部品評価装置
半導体評価装置 製品紹介
高温高湿テストシステム(コンデンサ用)
1温度/16(/8)テストゾーン

本システムは、コンデンサの高温高湿(85℃、85%RH)試験を実施できる装置です。試験中は、試験対象部品のリーク電流と電圧をリアルタイムで監視し、試験データの記録やエクスポートも可能です。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・各ステーションのデータを30秒毎に記録
- ・独自の高電圧抑制回路、部品の瞬時の破壊が他のステーションのバーンインプロセスに影響を与えません
- ・自動充電および放電回路の独自設計
- ・実験者の安全性を十分に考慮
適用規格
MIL-STD-202E
アプリケーション
対応製品:MLCC、マイカ、フィルム、紙媒体、セラミックおよびメタライズドペーパー媒体のコンデンサなど
製品型番
型番 | 仕様 |
---|---|
HAT-H3MKP01A |
製品概要
Test temperature zone | 1 |
---|---|
Test temperature | RT-20-180℃ |
Test humidity | 25%rh -98%rh |
Burn-in test zone | 16 (8/16 zone optional) |
Stations per zone | 40 (typical) |
Burn-in voltage range | 0-1200V |
Voltage detection accuracy | ±(1%+2LSB) |
Current detection range | 10nA-30mA |
Current detection accuracy | ±(1%+10nA) |
Machine power supply | Three-phase AC200V±20V |
Maximum power | 12KW (typical) |
Total weight | 1050KG (typical) |
Dimensions of machine | 1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H) |
高温テストシステム(コンデンサ用)
1温度/16 (/32/40/48)テストゾーン

本システムは、室温+10℃~200℃で、コンデンサのバーンインスクリーニングテストを実施する装置です。最大4,500Vのバーンイン電圧を印加でき、試験中にDUT(Device Under Test)の漏れ電流と電圧をリアルタイムで監視し、リミットを超えたデバイスは保護停止されます。また、必要に応じてバーンインテストデータの記録や出力も可能です。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・各ステーションのデータを30秒毎に記録
- ・独自の高電圧抑制回路により、試験デバイスの瞬間的故障が他のステーションのテストプロセスに影響を与えない
- ・独自設計の自動充電、放電回路搭載
- ・実験者の安全性を十分に考慮
適用規格
MIL-STD-202E
アプリケーション
対応製品:MLCC、マイカ、フィルム、紙媒体、セラミックおよびメタライズドペーパー媒体のコンデンサなど
製品型番
型番 | 仕様 |
---|---|
HAT-MKP01A |
製品概要
Test temperature zone | 1 |
---|---|
Test temperature | RT+10 - 200℃ |
Burn-in test zone | 16 (16/32/40/48 zone optional) |
Stations per zone | 24 (typical) |
Burn-in voltage range | 500 - 4500V |
Voltage detection accuracy | ±(1%+2LSB) |
Current detection range | 10nA - 1000uA |
Current detection accuracy | ±(1%+10nA) |
Machine power supply | Three-phase AC200V±20V |
Maximum power | 8KW (typical) |
Total weight | 680KG (typical) |
Dimensions of machine | 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) |
スタティック高温テストシステム(マイクロ波管用)
12温度/12テストゾーン

本システムは、GaN/GaAsデバイスや、その他マイクロ波管用のスタティック高温テストを実施可能な装置です。独立した12のテストゾーンそれぞれに4つのコンポーネントバーンインステーションが備えられ、装置全体では48のコンポーネントバーンインステーションで構成されています。12のテストゾーンは、上位コンピュータを介して独立または同時に制御、監視、記録、通信が可能です。各ステーションはDUT (Device Under Test)のケース温度を独立制御でき、温度検出精度は1%±2℃です。また、試験中のデバイスの各種パラメータはリアルタイムで監視・記録でき、先進的技術を採用した可変型定電圧高出力二次電源を採用しています。
- ・コンポーネントの電流および電圧状態をリアルタイムで監視し、自動的に試験電流を調整
- ・コンポーネントのケース温度を独立して制御可能で、制御精度は1% ± 2°C
- ・異なるパッケージや電力要件を持つマイクロ波パワーコンポーネントに対応可能
- ・実験者の安全性を十分に考慮した設計
適用規格
MIL-STD-750, MIL-M-19500
アプリケーション
対応製品:GaN、GaAs、およびその他のマイクロ波管
製品型番
型番 | 仕様 |
---|---|
HAT-MFS01A |
製品概要
Test temperature zone | 12 |
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Test temperature | 70 - 200℃ |
Burn-in test zone | 12 |
Drain voltage control range | 0.01 - 60V |
Drain voltage control accuracy | ±(1%+0. 1V) |
Grid voltage control range | -10 - 10V |
Grid voltage control accuracy | ±(1%+0.01V) |
Leakage current detection range | 0 - 5A |
Leakage current detection accuracy | ±(1%+1mA) |
Grid current detection range | 0 - 50mA |
Grid detection accuracy range | ±(1%+0.01mA) |
Shell temperature fluctuation | ±1℃ |
Shell temperature detection accuracy | ±(1%+2℃) |
Power supply | 0 - 60V/40A (Optional 12 channels) |
Machine power supply | Three-phase AC200V± |
Maximum power | 25KW (typical) |
Total weight | 1000KG (typical) |
Dimensions of machine | 1800mm(W)×1300mm(D)×2000mm(H) |