SiCインバータ実験セット

HEK-INV-E2

概要

SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製第4 世代SiC-MOSFET を6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力18kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。

特長

すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット
電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能
多数の回路構成・動作条件で実験
サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能。操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更
HSDT-KIT-B併用でソフトウェア開発も可能

仕様

インバータ出力定格容量 18kVA DC800V 時
直流側電圧範囲 0V~800V P-N 端子間電圧
交流側最大電流 26Arms U、V、W 端子電流
最大スイッチング周波数 200kHz ロータリースイッチによって選択可能
最小デッドタイム 200ns ロータリースイッチによって選択可能
操作スイッチ トグルスイッチ8 個
ロータリースイッチ1 個
 
表示用L E D 黄:8 個 / 赤:4 個 / 緑:5 個  
制御方式 チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力 スイッチにより制御方式が選択可能
保護機能 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能
制御電源 AC100V  
装置サイズ W: 252mm / D: 167mm / H: 140mm 三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置

動作条件設定項目

運転/ 停止 ゲート出力 / ゲート停止  
回路構成 チョッパ動作 / インバータ動作
単相出力 / 三相出力
チョッパ動作時はU 相のみ使用
単相出力時はU 相とV 相を使用
変調方式 ユニポーラ変調 / バイポーラ変調
三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調
単相出力時
三相出力時
スイッチング
周波数設定
10kHz~200kHz ロータリースイッチにて切り替え可能
デッドタイム設定 200ns~600ns ロータリースイッチにて切り替え可能
変調率設定 0~1  
インバータ
基本波周波数
2Hz ~ 500Hz  

構成図

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