次世代半導体GaN活用による超高周波交流回生電源を開発

ヘッドスプリング株式会社（所在地：東京都、代表：星野脩）は、公益財団法人東京都中小企業振興公社の令和２年度新製品・新技術開発助成事業において、2020年8月に「次世代半導体GaN活用高周波交流回生電源の開発」が採択され、開発を進めておりましたが、このたび予定していた開発をすべて終了し、完了検査に合格いたしました。
今回開発した技術は、任意の交流電圧波形または交流電流波形を精密かつ高効率に生成することを可能とするものです。本技術を弊社の既存技術と組み合わせることで10kHzを超える応答性を有する回生型交流電源装置を構成することが可能となります。今回の開発成果を活用して、回生型交流電源装置、交流系統模擬装置、モータ模擬装置など、電動モビリティ分野や新エネ分野で製品開発に必要とされる機器を開発・提供して参ります。

プレスリリースはこちらになります。
プレスリリース：次世代半導体GaN活用による超高周波交流回生電源を開発

　近年、脱炭素化に向けた取り組みが世界的に加速しており、我が国においても2050年にカーボンニュートラルを実現することを目標として様々な施策が提案、実行されております。弊社では、高効率に電力を再利用することを可能とする直流回生電源biATLAS-Dを製品化し、様々な製造現場の省エネルギー化のためにご活用いただいておりますが、こうした活動の中でお客様から「回生可能な交流電源」の製品化のご要望を多くいただくようになりました。
　現在市販されている交流電源は電力回生できないものが多く、また特に応答性が高いものはアナログアンプ方式を採用しているために高価でサイズが非常に大きく電力変換効率が低い、といった課題があります。
　本開発は、こうした課題を解決する、デジタル制御で小型・高効率・高速応答可能な交流回生電源の技術開発を狙ったものです。

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