技術の特徴 次世代パワー半導体SiC・GaNの活用 SiCやGaNなど次世代パワー半導体の活用を始めとした先端的なパワーエレクトロニクスの技術開発に取り組み、技術的・論理的な理解を深めています。 詳細はこちらへ 詳細はこちらへ 絶縁双方向技術 ヘッドスプリングの得意とする電力変換器技術の一つに『絶縁双方向技術』というものがあります。 これは、1次側↔2次側を電気的に絶縁しつつ、1次側から2次側、逆に2次側から1次側への両方エネルギーの流れを小型・軽量な構成で可能とする技術です。 詳細はこちらへ 詳細はこちらへ
