パワーデバイス評価装置
半導体評価装置 製品紹介
IGBTパワーサイクルテストシステム
2温度／3テストゾーン
本システムは、様々なサイズのIGBTモジュールのパワーサイクル試験を実施する装置です。JEDEC規格(JESD51-1)のスタティック試験に準拠し、テストモジュールの入力電力を変化させることで温度変化を生成 します。変化中に、供試体の過渡温度応答曲線とテスト波形のデータ処理を行い、部品の全ての熱特性を取得することが可能です。
- ・分秒単位でのパワーサイクルテストを実施可能
- ・油冷システムを搭載し、コンポーネントのKファクターを迅速かつ自動でキャリブレーション可能
- ・固定治具は調整可能であり、異なるパッケージのモジュールを固定することが可能
- ・電磁弁により，冷却水の水量を自動でも手動でも調整可能
- ・DUT（Device Under Test）の熱過渡応答からデータ処理を行い，デバイスの熱特性を取得
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
JESD51、AQG324に対応
アプリケーション
さまざまなサイズのIGBTモジュールおよびMOSモジュール
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-PC01A | 1800Aモデル |
| HAT-PC02A | 3000Aモデル |
| HAT-PC03A | 3600Aモデル |
製品概要
| Test temperature zone | 2 |
|---|---|
| Test temperature | Water cooling plate:10℃~80 Oil cooling plate:-10℃~150℃ |
| Burn-in test zone | 3 |
| Constant temperature system control accuracy |
water cooling system:±0.5℃ Oil cooling system:±0.1℃ |
| Junction temperature test accuracy | ±2℃ |
| Cold plate and shell temperature testing accuracy |
±2℃ |
| Heating current | 600A/zone (supporting three zones in parallel 1800A) 1000A/zone (supporting three zones in parallel 3000A) 1200A/zone (supporting three zones in parallel 3600A) |
| Test current | ±(10~1000mA) |
| Test current accuracy and resolution | ±(0.3%+2mA), resolution 0.1mA |
| Machine power supply | Three-phase AC200V±20V |
| Maximum power | 30KW (typical) |
| Total weight | 500KG (typical) |
| Dimension of machine (without water cooler) |
1400mm(W)×900mm(D)×1300mm(H) |
高温ダイナミック逆バイアステストシステム (ディスクリート部品用)
8テストゾーン
本システムは、AQG324規格に準拠したSiC MOSトランジスタの高温ダイナミック逆バイアス試験を実施できる装置です。各試験エリアに、独立したパルス電源を備えた最大12ステーションの試験が可能です。試験温度範囲は室温+10℃～175℃です。また、試験デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、故障したデバイスを試験から自動的に切り離すことができます。
- ・nAリーク電流テスト
- ・異なるパッケージのデバイスや電力要件等に応じてカスタマイズされたテストボードの提供
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
AEC-Q101、AQG324
アプリケーション
半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ）
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-DHTRB01A |
製品概要
| Test temperature | RT +10℃~200℃ (thermal plate) |
|---|---|
| Burn-in test zone | 8 (scalable) |
| Stations per zone | 12 (typical) |
| Test Method | Active: VGS, off = VGS, min and VGS, on = VGS, max Passive: VGS = VGS, min recom |
| Voltage range | 50-1500V |
| Voltage accuracy | Detection deviation: ± (1%+2LSB) |
| Pulse control | 1. Pulse frequency (square wave): 5kHz~200kHz; Accuracy: 2%± 2LSB 2. Square wave duty cycle 20%~80%; Accuracy: ± 2% 3. Voltage rise rate (dV/dt) ≥50V/ns 4. Voltage overshoot<15% |
| VGS voltage test & control range | -0.7V~ -20V/0V |
| Leakage current detection | Detection range: 100nA~30mA Accuracy: Option1: 0.1uA~1mA resolution 0.1uA accuracy: 1%± 2LSB Option2: 1mA~30mA resolution 1uA accuracy: 1%± 2LSB |
| Machine power supply | Three-phase AC200V± 20V |
| Total weight | 700KG (typical) |
| Dimensions of machine | 800mm(W)x1400mm(D)×1950mm(H) |
高温ダイナミックゲートバイアステストシステム(ディスクリート部品用)
8テストゾーン
本システムは、第3世代SiC MOSトランジスタの高温ダイナミックゲートバイアス試験を実施できる装置です。各試験エリアは、独立して最大12ステーションの試験が可能で、12個の独立したパルス電源を設定でき、デバイスのリーク電流Igssは互いに干渉しません。試験温度範囲は室温+10℃～200℃です。また、試験デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、試験中に故障したデバイスを自動的に切り離すことができます。
- ・高速dV/dt>1V/ns
- ・nAリーク電流テスト
- ・閾値電圧テスト
- ・異なるパッケージのデバイスや電力要件等に応じてカスタマイズされたテストボードの提供
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101
アプリケーション
半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ、モノチューブ、モジュール）
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-DHTGB01A |
| Test temperature | RT +10°C~200°C (thermal plate) |
|---|---|
| Burn-in test zone | 8 (scalable) |
| Stations per zone | 12 (typical) |
| Test method | Vds =0V Vgs, off = Vgs, min, recom and Vgs, on Vgs, max |
| VGS voltage control detection |
Test control range: ± 35V Detection deviation: ± (1%+2LSB) Voltage resolution: 0.01V |
| Pulse control | 1. Pulse frequency (square wave): 15kHz-500kHz; Accuracy: 2%± 2LSB 2. Square wave duty cycle 5%~95%: Accuracy: ± 2% 3. During the dynamic DGS test, the slope of the grid pole voltage can reach dV/dt>1V/ns (Ciss<5nF) 4. Voltage overshoot<10% (test voltage amplitude is greater than 25V) |
| Alarm voltage VGSTH | 1. Vgs voltage test & control range: 1-10V (100nA-50mA constant current source) 2. Resolution: 0.01V, Accuracy: 1%± 0.01V |
| IGS leakage current detection |
Detection range：1nA~99.9uA Option1: 1nA-99nA resolution 1nA leakage current detection deviation: 1%± 2LSB Option2: 100nA to 999nA resolution 10nA Leakage current detection deviation: 1%± 2LSB Option3: 1uA-99.9uA resolution 100nA Leakage current detection deviation: 1%± 2LSB |
| Machine power supply | Three-phase AC200V± 20V |
| Total weight | 700KG (typical) |
| Dimensions of machine | 800mm (W) x1400mm (D) x1950mm (H) |
高温高湿ダイナミック逆バイアステストシステム
16テストゾーン
本システムは、AQG324規格に準拠したSiC MOSFETの高温高湿ダイナミック逆バイアス試験を実施する装置です。各試験エリアに独立したパルス電源を備え、最大8ステーションの試験が可能で、標準的な85℃/85%RHで試験できます。また、デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、故障したデバイスを試験回路から自動的に切り離すことができます。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・dv/dt＞30V/ns（Coss＜300pF）
- ・全ステーションのデータを30秒で更新
- ・独自の高電圧抑制回路により、試験デバイスの瞬間的故障が他のステーションのテストプロセスに影響を与えない
- ・各ステーションの試験電圧の独立制御機能により、各ステーションのリミット超過を防止
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101に対応
アプリケーション
MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなど
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-DH3TRB01A |
製品概要
| Test temperature | RT +10°C-125°C |
|---|---|
| Test humidity | 10%RH~98%RH |
| Test Method | Vgs, off = Vgs, min and Vgs, on = Vgs, max |
| Burn-in test zone | 16 |
| Stations per zone | 8 (typical) |
| Voltage detection range | 50V-1200V |
| Voltage detection accuracy | Detection deviation; ± (1%+2LSB) |
| Pulse control | 1. Pulse frequency (square wave): 10kHz~50kHz; Accuracy: 2%± 2LSB 2.Square wave duty cycle 20%~80% Accuracy: ± 2% 3.Voltage rise rate (dV/dt) ≥30V/ns 4.Voltage overshoot<15% |
| Vgs voltage test & control range | Customized according to the device: Vgs accuracy: 1%± 0.2V Vgs overshoot: ≤ 10% |
| Leakage current detection | Detection range: 100nA~30mA Accuracy: Option1: 0.1A~1mA resolution 0.1 LA Leakage current detection deviation: 1%± 2LSB Option2: 1mA~30mA resolution 1/A Leakage current detection deviation: 1%± 2LSB |
| Machine power supply | Three-phase AC200V± 20V |
| Total weight | 1200KG (typical) |
| Dimensions of machine | 1650mm(W)x1750mm(D)×1950mm(H) |
高温逆バイアステストシステム
1温度／16(/32/40/48)テストゾーン
本システムは、室温+10℃～200℃の高温逆バイアス試験を実施する装置です。試験中は、DUT(Device Under Test)のリーク電流と電圧をリアルタイムで監視し、必要に応じてテストデータの記録・出力も可能です。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・各ステーションのデータを30秒ごとに記録
- ・独自の高電圧抑制回路により、試験デバイスの瞬間的故障が他のステーションのテストプロセスに影響を与えない
- ・各ステーションの試験電圧の独立制御機能により、各ステーションのリミット超過を防止
- ・正負両電圧を出力可能な電源がカスタマイズ可能で、モジュール上下のバイアス電圧を同時に印加することが可能
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
MIL-STD-750D、AQG324に対応
アプリケーション
MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなど
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-HTRB01A |
製品概要
| Test temperature zone | 1 |
|---|---|
| Test temperature | RT+10°C~200℃ |
| Burn-in test zone | 16 (16/32/40/48 zone optional) |
| Stations per zone | 80 (typical) |
| Burn-in voltage range | 0~±2000V |
| Voltage detection accuracy | ±(1%+2LSB) |
| Current detection range | 10nA-50mA |
| Current detection accuracy | ±(1%+10nA) |
| Machine power supply | Three-phase AC200V±20V |
| Maximum power | 8KW (typical) |
| Total weight | 680KG (typical) |
| Dimensions of machine | 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) |
高温ゲートバイアステストシステム
1温度／16(/32/40/48)テストゾーン
本システムは、室温+10℃～200℃で高温逆バイアス試験を実施する装置です。試験中は、DUT(Device Under Test)のリーク電流と電圧をリアルタイムで監視し、必要に応じて試験データの記録やテストレポートを出力することも可能です。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・各ステーションのデータを30秒ごとに記録
- ・各ステーションの試験電圧の独立制御機能により、各ステーションのリミット超過を防止
- ・正負両電圧を出力可能な電源がカスタマイズ可能で、モジュール上下のバイアス電圧を同時に印加することが可能
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
JESD22-A101 AQG324 MIL-STD-750D
アプリケーション
MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなど
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-HTGB01A |
製品概要
| Test temperature zone | 1 |
|---|---|
| Test temperature | RT +10°C~200°C |
| Burn-in test zone | 16 (16/32/40/48 zone optional) |
| Stations per zone | 80 (typical) |
| Burn-in voltage range | 0-±100V |
| Voltage detection accuracy | ± (1%+2LSB) |
| Current detection range | 1nA - 1mA |
| Current detection accuracy | ± (1%+1nA) |
| Machine power supply | Three-phase AC200V± 20V |
| Maximum power | 8KW (typical) |
| Total weight | 680KG (typical) |
| Dimensions of machine | 1450mm(W) x 1450mm(D) x 2000mm(H) |
高温高湿逆バイアステストシステム
1温度／16(/8)テストゾーン
本システムは、高温高湿（85℃、85%RH）逆バイアス試験を実施できる装置です。試験中は、DUT(Device Under Test)のリーク電流と電圧をリアルタイムで監視し、必要に応じて試験データの記録やテストレポートを出力することも可能です。
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・各ステーションのデータを30秒ごとに記録
- ・独自の高電圧抑制回路により、試験デバイスの瞬間的故障が他のステーションのテストプロセスに影響を与えない
- ・各ステーションの試験電圧の独立制御機能により、各ステーションのリミット超過を防止
- ・正負両電圧を出力可能な電源がカスタマイズ可能で、モジュール上下のバイアス電圧を同時に印加することが可能
- ・実験者の安全を考慮した設計
適用規格
MIL-STD-750D, AEC-Q101, JESD22-A101
アプリケーション
対象:MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCR など
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-H3TRB01A |
製品概要
| Test temperature zone | 1 |
|---|---|
| Test temperature | RT +10°C-150°C |
| Test humidity | 10%rh~98%rh |
| Burn-in test zone | 16 (8/16 zone optional) |
| Stations per zone | 80 (typical) |
| Burn-in voltage range | 0-±2000V |
| Voltage detection accuracy | ±(1%+2LSB) |
| Current detection range | 10nA-50mA |
| Current detection accuracy | ±(1%+10nA) |
| Machine power supply | Three-phase AC200V±20V |
| Maximum power | 10KW (typical) |
| Total weight | 1000KG (typical) |
| Dimensions of machine | 1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H) |
ウェハーレベル信頼性テストシステム
1温度／1テストゾーン
本システムは、JEDEC信頼性テスト標準に基づいた、6インチ/8インチのウェハーレベルデバイスの高温制御電気信頼性テストを行う装置です。高精度な高電圧出力が可能で、高精度な電流値、制御温度や他のパラメータを記録し、記録されたテストデータに基づき、実験表とMAP図を複数形式で出力することが可能です。
- ・カスタマイズされた高温調整型半自動プローブステーションで、最大5枚のウェハーを同時に試験が可能
- ・各ウェハーダイの独立保護機能をサポートし、限界を超える過電流・過電圧を制御
- ・ウェハー酸化を防ぐための窒素保護機能をサポートし、充填時の過電圧保護にも対応
- ・評価ボードまたはプローブカードを変更することで、異なるパッケージのデバイスのテストも実施可能
- ・ウェハー取り付け接触点の検出、リアルタイムでの温度・圧力検出をサポート
- ・HTGBやHTRB、他のバーンインテストが可能で、Vth/Ids/Igs等パラメータの自動テストやデータ分析も可能
- ・ウェハーレイアウトMAPコンフィグレーションが組み込まれており、データのリアルタイム表示や履歴データの呼び出しも可能
- ・集中管理ステーション（スマートコアプロテクションクラウド）システムへの接続をサポートし、MES(製造実行システム)と統合するようなカスタマイズも可能
適用規格
AEC-Q101、JEP183、IEC60749-23、JESD22-A108F
アプリケーション
GaN/SiCなどのウェハーの高温・高電圧信頼性テスト、およびVth、Igs、Idsなどのパラメータの自動テストとデータ分析
製品型番
| 型番 | 仕様 |
|---|---|
| HAT-CWBS01A |
製品概要
| Test temperature zone | 1 (Support customization ≤5) |
|---|---|
| Test temperature | RT-200°C |
| Applicable products | GaN/SiC and other 6-inch and 8-inch wafers |
| Multi-station parallel test | 1 (Support customization ≤5) |
| Temperature overshoot | <2°C |
| Grid voltage range (accuracy) | ± 60V(0.1%± 10mV) |
| Grid current range (accuracy) | 1mA(0.1%± 10nA)/Vth100/A (1%± 5nA) |
| Source voltage range (accuracy) | 2000V(0.5%*Vmax+1000mV) |
| Source current range (accuracy) | 30mA (1%± 2LSB) |
| Voltage and current overshoot | HTRB overcharged<2%, HTGB overcharged<200mV |
| Methods of communication | TTCP network/485 serial port |
| Operating system | Windows 7 and above |
| MES system interface | Customize and integrate with third-party systems and data |
| Total weight | 650kg± 5% |
| Dimensions of machine | 2050mm(W) x 1400mm(D) x 1800mm(H) |
| Single-chamber size | 2050mm(W) x 1400mm(D) x 400mm(H) |
