Solutions
半導体・電子部品の信頼性評価
評価時間を、競争力へ。一元化で、圧倒的コストメリット
地球温暖化対策の拡大に伴い、車の電動化や、再生可能エネルギーの導入が世界中で急速に拡がっています。そんな中、高効率な電力変換を可能にするキーデバイスとして、パワー半導体デバイスに注目が集まっています。グリーン投資増加の影響もあり、パワーデバイスの市場規模は順調に成長していますが、一方で、自動車業界等での高い品質要求に応えるためには、長期的耐久性や複雑なパッケージの熱特性等を含む「信頼性評価」が必須です。しかしながら、信頼性認証取得のためには、数多くのサンプルを用いた評価が必要で、そのため、パワーデバイスの信頼性評価には、長い時間と多くの労力がかかるのが最大の課題です。私たちヘッドスプリングは、この課題を解決するため、ワンストップでの評価依頼や相談が可能な体制を整え、高効率なバッチ処理や自動評価が可能で十分なコストメリットを出せる評価装置を多数ラインナップしました。これにより、お客様の開発する製品の信頼性評価をより効率よく実施できるようにし、パワー半導体デバイスのさらなる市場拡大に貢献していきます。
製品紹介
SiCおよびGaNパワー半導体のダイナミックテストソリューション
高温高湿ダイナミック
逆バイアステストシステム
HAT-DH3TRB01A- モジュール対応も可能！
同時に14条件の試験設定が可能で、複数条件での試験をスムーズに立ち上げます。進化するパワーモジュールへの対応も可能です。
高温ダイナミック
ゲートバイアステストシステム
HAT-DHTGB01A- パワー半導体のチップ評価にフォーカスしたシンプルかつ安定性を求めた構造です。独立したIgss測定により、より詳細なテスト実行を可能としています。
高温ダイナミック
逆バイアステストシステム
HAT-DHTRB01A- 最大100kHzのダイナミック逆バイアスパルス印加可能で、動的試験中の電流モニターをはじめ、独立したIdss電流測定でデバイス評価を進められます。
パワーサイクル
テストシステム
HAT-PC01A/02A/03A- JEDEC規格に準拠したモジュールの熱特性評価を目的とした信頼性試験装置で、過渡応答データを取得できるほか、油冷システムなどにより幅広いモジュールサイズの試験を安全かつ効率的に実施できます。
上記4製品は、デモンストレーション、トライアル評価可能です。
詳細は営業窓口までお問合せください
お問い合わせ
AQG324試験規格 対応表
ヘッドスプリングの提供するパワー半導体信頼性テストソリューションは、AQG324試験規格で規定された、スタティックテストに対応しています。これらの装置はお客様のニーズに合わせたカスタマイズも可能です。
| QL番号 | 項目名 | 試験内容 | ラインアップ |
|---|---|---|---|
| QL-01 | Power Cycling | ワイヤボンド・はんだ接合部の寿命試験（PCsec） | HAT-PC01A/02A/03A |
| QL-02 | Power Cycling | ワイヤボンド・はんだ接合部の寿命評価（PCmin） | HAT-PC01A/02A/03A |
| QL-03 | HTS | 高温保存試験 | お問合せください |
| QL-04 | LTS | 低温保存試験 | お問合せください |
| QL-05 | HTRB | 高温下でのドレイン/ゲートバイアス試験 | HAT-HTRB01A |
| QL-06 | HTGB | ゲート酸化膜信頼性試験 | HAT-HTGB01A |
| QL-07 | H3TRB | 高温高湿環境での逆バイアス試験 | お問合せください |
SiC向け追加試験項目
進化するSiCデバイス向けとして新たに追加された試験項目の中でも、よりリアルな使用環境を想定した試験内容であるダイナミックテスト。これらの試験は、対象となるデバイスやSiC/GaNなどチップ特性に応じた柔軟な調整が必要です。私たちの装置はそれら細かな調整を可能とし、お客様の信頼性テストの効率を大きく向上させます。
| QL番号 | 項目名 | 試験内容 | ラインアップ | |
|---|---|---|---|---|
| 静的試験 | ||||
| QL-08 | HTFB | 高温環境での順方向バイアス試験 | お問合せください | |
| 動的試験 | ||||
| QL-09 | DGS | SiCの動的駆動時スイッチング不安定性評価試験 | ー | HAT-DHTGB01A |
| QL-10 | DRB | 動的駆動におけるdv/dtによる内部構造劣化評価試験 | パッシブスイッチ式 アクティブスイッチ式 |
HAT-DHTRB01A HAT-DHTRB02A |
| QL-11 | Dyn.H3TRB | 高温高湿条件での動的駆動における内部構造劣化評価試験 | パッシブスイッチ式 アクティブスイッチ式 |
HAT-DH3TRB01A HAT-DH3TRB02A |
北九州事業所 HS PowerDevice Lab HIBIKINO
当社北九州事業所「HS PowerDevice Lab HIBIKINO」では、EVや蓄電システム、データセンター向けに需要が拡大するパワー半導体（SiC／GaN含む）を対象とした第三者評価施設として、デバイス評価、信頼性試験、第三者レポート、最適デバイス選定支援、基板設計、量産支援までをワンストップで提供しています。
統一条件による客観的データを基に、デバイス単体から実機搭載時までを体系的に評価できます。
さらに、ゲート駆動回路やアートワーク、筐体を含む熱設計など回路・システム視点での技術的フィードバックも可能で、従来経験や勘に頼ってきたデバイス選定を、透明性と根拠のあるデータドリブンな判断へと転換する新たな評価インフラとして、製品開発の品質向上と競争力強化に貢献します。
半導体信頼性評価 実施支援のスキーム例
