テストソリューション製品半導体評価装置 ヘッドスプリングのテストソリューション製品についてご紹介いたします。 半導体評価装置 製品紹介 パワーサイクルテストシステム 本システムは、さまざまなサイズのIGBT、SiCモジュールのパワーサイクルテストに適しています。温度変化は、対象となるモジュールの入力電力を変化させることで温度変化を発生させ、テスト方法はJEDEC51-1に準拠し、テスト対象モジュールの過渡温度応答曲線とデータ処理を通じて、電子部品の熱特性を取得します。 ・分秒単位でのパワーサイクルテストをサポート ・オイル冷却プラットフォームを搭載し、コンポーネントのKファクターを迅速かつ自動でキャリブレーション可能 ・フィクスチャーは調整可能な強度と深さをサポートし、異なるパッケージのモジュールを効果的にクランプ ・ソレノイド水バルブを搭載し、実際の状況に応じて冷却水の流量を自動的に調整したり、手動で調整することが可能 ・テストコンポーネントの過渡温度応答曲線を通じて、テスト波形のデータ処理を行い、電子部品の総合的な熱特性を取得 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 JESD51、AQG324に対応 アプリケーション さまざまなサイズのIGBTモジュールおよびMOSモジュールに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-PC01A 1800Aモデル HAT-PC02A 3000Aモデル HAT-PC03A 3600Aモデル 製品概要 Test temperature zone 2 Test temperature Water cooling plate:10℃~80 Oil cooling plate:-10℃~150℃ Burn-in test zone 3 Constant temperature system control accuracy water cooling system:±0.5℃ Oil cooling system:±0.1℃ Junction temperature test accuracy ±2℃ Cold plate and shell temperature testing accuracy ±2℃ Heating current 600A/zone (supporting three zones in parallel 1800A) 1000A/zone (supporting three zones in parallel 3000A) 1200A/zone (supporting three zones in parallel 3600A) Test current ±(10~1000mA) Test current accuracy and resolution ±(0.3％+2mA), resolution 0.1mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 30KW (typical) Total weight 500KG (typical) Dimension of machine (without water cooler) 1400mm(W)×900mm(D)×1300mm(H) 高温ダイナミック逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、SiC MOSトランジスタの動的高温逆バイアスバーンインテストをAQG324テスト方法に基づいて実施します。各テストエリアで最大12ステーションのテストが可能で、独立したパルスソース構成を備えています。テスト温度はRT +10°C～200°Cで、高温下での試験が可能です。テストデバイスに異常が発生したときのリジェクト機能を有しており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスのテストに影響が出ない機能を有しています。 ・dv/dt>50V/ns（Coss<300pF） ・2us過電流保護 ・室温+10°C～200°Cで独立して加熱可能で、静的HTRBテストにも対応 適用規格 AEC-Q101、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション 半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ）の高温動的逆バイアステストを実施可能です。 製品型番 型番 仕様 HAT-DHTRB01A 製品概要 Test temperature RT +10℃~200℃ (thermal plate) Burn-in test zone 8 (scalable) Stations per zone 12 (typical) Test Method Active: VGS, off = VGS, min and VGS, on = VGS, max Passive: VGS = VGS, min recom Voltage range 50~1200V Voltage accuracy Detection deviation: ±(2%+1V) Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 5kHz~200kHz; Accuracy: 2%±2LSB(The maximum frequency depends on the voltage, DUT capacitance) 2. Square wave duty cycle 20%~80%; Accuracy: ±2% 3. Voltage rise rate (dv/dt) ≥50V/ns (Coss＜300pF) 4. Voltage overshoot<15% (Vpp＞960V) VGS voltage test & control range -0.7V~ -20V/0V Leakage current detection Detection range: 0.1uA~20mA. Accuracy: Option1: 0.1uA~0.999uA resolution 0.01uA accuracy: 1%±0.02uA Option2: 1.00uA~99.9uA resolution 0.1uA accuracy: 1%±0.2uA Option3: 100uA~999uA resolution 1uA accuracy: 1%±2uA Option4: 1.0mA~20.00mA resolution 0.1mA accuracy: 1%±0.2mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 700KG (typical) Dimensions of machine 800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H) 高温ダイナミックゲートバイアスエージングテストシステム 本システムは、第三世代SiC MOSトランジスタに対する動的高温ゲートバイアスバーンインテスト機能を提供し、各テストエリアで最大12ステーションを独立してバーンインテストできます。独立した12のパルスを設定可能で、テストゲートのリーク電流が相互に干渉しません。テストデバイスは室温+10°C～200°Cで使用可能で、テストデバイスのショート回路解除テスト機能を備えており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスの正常なテストに影響を与えません。 ・高速dv/dt>1V/ns ・nAリーク電流テスト ・閾値電圧テスト ・異なるデバイスのパッケージング、電力要件に応じたカスタマイズされたバーンインテストボードの提供 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 AEC-Q101、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション 半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ）の高温動的ゲートバイアステストを実施可能です。 製品型番 型番 仕様 HAT-DHTRB01A 製品概要 Test temperature zone RT +10°C~200°C (thermal plate) Burn-in test zone 8 (scalable) Stations per zone 12 (typical) Test method VDs =0V VGS, off = VGS, min, recom and VGS, on =VGS, max VGS voltage control detection Test control range: ±40V Detection deviation: ±(1%+2LSB) Voltage resolution: 0.01V Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 15kHz~500kHz; Accuracy: 2%±2LSB (The maximum frequency depends on the voltage, DUT capacitance) 2. Square wave duty cycle 20%~80%: Accuracy:±2% 3. During the dynamic DGS test, the slope of the grid pole voltage can reach dv/dt>1V/ns (Ciss＜5nF) 4. Voltage overshoot<10% (test voltage amplitude is greater than 25V) Alarm voltage VGSTH 1. VGS voltage test & control range: 1~10V (100nA~50mA constant current source) 2. Resolution: 0.01V, Accuracy: 1%±0.01V IGS leakage currentdetection Detection range：1nA~99.9uA Option1: 1nA~99nA resolution 1nA leakage current detection deviation: 1%±2LSB Option2: 100nA to 999nA resolution 10nA Leakage current detection deviation: 1%±2LSB Option3: 1uA~99.9uA resolution 100nA Leakage current detection deviation: 1%±2LSB Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 700KG (typical) Dimensions of machine 800mm (W) x1400mm (D) x1950mm (H) 高温高湿ダイナミック逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、SiC MOSFETに対する動的高温および高湿度逆バイアスバーンインテストをAQG324テスト方法に基づいて実施します。各テストエリアで最大6ステーションのテストが可能で、独立したパルスソース構成を備えています。標準的な85°C/85%RHのテスト環境が提供され、テストデバイスに異常が発生したときのリジェクト機能を有しており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスのテストに影響が出ない機能を有しています。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・dv/dt＞30V/ns（Coss＜300pF） ・全ステーションのデータを30秒で更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、デバイスの瞬間的な故障が他のステーションのバーンインプロセスに影響を与えない ・ステーションのバーンイン電圧の独立した制御機能により、単一ステーションのバーンインの制限超過を実現 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-DH3TRB01A 製品概要 Test temperature RT -20°C-180°C Test humidity 10%RH~98%RH Test Method VGS, off = VGS, min and VGS, on = VGS, max Burn-in test zone 14-16 Stations per zone 6 (typical) Voltage detection range 50V-1200V Voltage detection accuracy Detection deviation; ±(2%+1V) Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 10kHz~50kHz; Accuracy: 2%±2LSB 2.Square wave duty cycle 20%~80% Accuracy:±2% 3.Voltage rise rate (Dv/Dt) ≥30V/ns 4.Voltage overshoot<15% VGS voltage test & control range Customized according to the device: VGS voltage: Positive voltage+18V, +20V, +22V, 3 options Negative voltage -3V, -5V, 2 options Leakage current detection Detection range: 0.1uA~20mA Accuracy: Option1: 0.1uA~0.999uA resolution 0.01uA accuracy: 1%±0.02uA Option2: 1.00uA~99.9uA resolution 0.1uA accuracy: 1%±0.2uA Option3: 100uA~999uA resolution 1uA accuracy: 1%±2uA Option4: 1.0mA~20.00mA resolution 0.1mA accuracy: 1%±0.2mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 1200KG (typical) Dimensions of machine 1650mm(W)x1750mm(D)x1950mm(H) 高温逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、室温+10℃～200℃で高温逆バイアスバーンインテストを実施できます。バーンインプロセス中、テストされるコンポーネントのリーク電流状態と電圧状態をリアルタイムで監視し、必要に応じてバーンインテストデータを記録・出力します。 ・nAレベルの リーク電流検出精度 ・全ステーションのデータを30秒で更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、コンポーネントの瞬時の故障が他のステーションのバーンインプロセスに影響を与えない ・ワークステーションのバーンイン電圧の独立した制御機能をカスタマイズし、単一ステーションのバーンイン過剰を排除 ・モジュールの上下ブリッジに対してバイアス電圧を同時に適用するための正負の電源をカスタマイズ可能 ・実験者の安全を考 慮した設計がされています 適用規格 MIL-STD-750D、AQG324に対応 アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-HTRB01A ディスクリート用 HAT-HTRB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃~200℃ Burn-in test zone 16 (16/32/40/48 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0~±2000V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 10nA-50mA Current detection accuracy ±(1%+10nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 8KW (typical) Total weight (6+1 disposition) 680KG (typical) Dimensions of machine (6+1 disposition) 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) 高温ゲートバイアスエージングテストシステム 本システムは、室温+10℃～200℃で高温逆バイアスバーンインテストを実施し、バーンインプロセス中にテストデバイスのリーク電流状態および電圧状態をリアルタイムで監視します。必要に応じてバーンインテストデータを記録し、テストレポートを出力します。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・全機器で30秒ごとのフルステーションデータ更新 ・カスタマイズ可能なステーションバーンイン電圧独立制御機能、単一ステーションのバーンイン限度超過排除 ・モジュールの上部および下部のブリッジに同時にバイアス電圧を適用できる正負の電源をカスタマイズ可能 ・実験者の安全を考慮した設計 適用規格 JESD22-A101 AQG324 GJB128 MIL-STD-750D アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-HTGB01A ディスクリート用 HAT-HTGB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃~200℃ Burn-in test zone 16 (16/32/40/48 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0 - ±100V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 1nA - 1mA Current detection accuracy ±(1%+1nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 8KW (typical) Total weight 680KG (typical) Dimensions of machine 1450mm(W) x 1450mm(D) x 2000mm(H) 高温高湿逆バイアスエージングテストシステム このシステムは、高温・高湿度（85℃、85％RH）のバーイン試験を実施できます。バーイン試験中に、テストされるコンポーネントのリーク電流状態と電圧状態をリアルタイムで監視し、必要に応じてバーイン試験データを記録およびエクスポートします。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・30秒で全てのステーションデータを更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、部品の瞬間的な破壊が他のステーションの焼入れプロセスに影響を与えない ・ステーションごとの焼入れ電圧の独立した制御機能がカスタマイズ可能、単一のステーションでの焼入れ過剰値を排除 ・モジュールの上下ブリッジに対してバイアス電圧を同時に適用できるように、正負電源がカスタマイズ可能 ・実験者の安全を確保するための完全な安全措置 適用規格 MIL-STD-750D, AEC-Q101, JESD22-A101 アプリケーション 対象:MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCR など 製品型番 型番 仕様 HAT-H3TRB01A ディスクリート用 HAT-H3TRB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃-150℃ Test humidity 10%rh~98%rh Burn-in test zone 16 (8/16 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0 - ±2000V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 10nA-50mA Current detection accuracy ±(1%+10nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 10KW (typical) Total weight 1000KG (typical) Dimensions of machine 1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H)
テストソリューション製品半導体評価装置 IGBTをはじめSiCパワー半導体は、高効率な電力変換を可能にするキーデバイスとして注目されています。特に電気自動車（EV） や再生可能エネルギー分野での活用が拡大しており、グリーン投資の増加を背景に、市場規模は今後順調に成長すると予測されています。 パワー半導体の需要が順調に増加し、自動車をはじめ多様な製品への採用が進む中、製品(デバイス)の長期信頼性やパッケージの熱特性に関する評価がますます重要になっています。 こういった市場動向に追従し、効率良く信頼性評価を進められるよう、半導体評価装置を準備いたしました。 本装置は、AEC-Q101、AQG324、JESD22などの信頼性規格に準拠した試験が可能であり、特に車載用途で求められる厳しい環境下での評価に最適です。以下の試験項目に対応する装置をラインアップしています。 評価対応可能項目一覧 ・パワーサイクル試験 ・高温ダイナミック逆バイアス試験 ・高温ダイナミックゲートバイアス試験 ・高温高湿ダイナミック逆バイアス試験 ・高温逆バイアスエージング試験 ・高温ゲートバイアス試験 ・高温高湿逆バイアス試験 ワンストップ評価請負サービスの提供 信頼性評価装置を保有していないお客様向けに、「パワー半導体向け信頼性評価装置」を活用した評価請負サービスの提供をお客様のご要望に応じて対応します。単一の装置で実施する評価試験に加え、複数項目の試験実施、規格に準拠した試験の実施、また提携機関と連携した物理解析を含め、信頼性評価の全工程を一括して提供するワンストップサービスを実現します。ご依頼の場合は、予め評価項目や対象となるデバイスの詳細をご相談ください。 半導体評価装置 製品紹介 パワーサイクルテストシステム 本システムは、さまざまなサイズのIGBT、SiCモジュールのパワーサイクルテストに適しています。温度変化は、対象となるモジュールの入力電力を変化させることで温度変化を発生させ、テスト方法はJEDEC51-1に準拠し、テスト対象モジュールの過渡温度応答曲線とデータ処理を通じて、電子部品の熱特性を取得します。 ・分秒単位でのパワーサイクルテストをサポート ・オイル冷却プラットフォームを搭載し、コンポーネントのKファクターを迅速かつ自動でキャリブレーション可能 ・フィクスチャーは調整可能な強度と深さをサポートし、異なるパッケージのモジュールを効果的にクランプ ・ソレノイド水バルブを搭載し、実際の状況に応じて冷却水の流量を自動的に調整したり、手動で調整することが可能 ・テストコンポーネントの過渡温度応答曲線を通じて、テスト波形のデータ処理を行い、電子部品の総合的な熱特性を取得 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 JESD51、AQG324に対応 アプリケーション さまざまなサイズのIGBTモジュールおよびMOSモジュールに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-PC01A 1800Aモデル HAT-PC02A 3000Aモデル HAT-PC03A 3600Aモデル 製品概要 Test temperature zone 2 Test temperature Water cooling plate:10℃~80 Oil cooling plate:-10℃~150℃ Burn-in test zone 3 Constant temperature system control accuracy water cooling system:±0.5℃ Oil cooling system:±0.1℃ Junction temperature test accuracy ±2℃ Cold plate and shell temperature testing accuracy ±2℃ Heating current 600A/zone (supporting three zones in parallel 1800A) 1000A/zone (supporting three zones in parallel 3000A) 1200A/zone (supporting three zones in parallel 3600A) Test current ±(10~1000mA) Test current accuracy and resolution ±(0.3％+2mA), resolution 0.1mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 30KW (typical) Total weight 500KG (typical) Dimension of machine (without water cooler) 1400mm(W)×900mm(D)×1300mm(H) 高温ダイナミック逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、SiC MOSトランジスタの動的高温逆バイアスバーンインテストをAQG324テスト方法に基づいて実施します。各テストエリアで最大12ステーションのテストが可能で、独立したパルスソース構成を備えています。テスト温度はRT +10°C～200°Cで、高温下での試験が可能です。テストデバイスに異常が発生したときのリジェクト機能を有しており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスのテストに影響が出ない機能を有しています。 ・dv/dt>50V/ns（Coss<300pF） ・2us過電流保護 ・室温+10°C～200°Cで独立して加熱可能で、静的HTRBテストにも対応 適用規格 AEC-Q101、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション 半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ）の高温動的逆バイアステストを実施可能です。 製品型番 型番 仕様 HAT-DHTRB01A 製品概要 Test temperature RT +10℃~200℃ (thermal plate) Burn-in test zone 8 (scalable) Stations per zone 12 (typical) Test Method Active: VGS, off = VGS, min and VGS, on = VGS, max Passive: VGS = VGS, min recom Voltage range 50~1200V Voltage accuracy Detection deviation: ±(2%+1V) Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 5kHz~200kHz; Accuracy: 2%±2LSB(The maximum frequency depends on the voltage, DUT capacitance) 2. Square wave duty cycle 20%~80%; Accuracy: ±2% 3. Voltage rise rate (dv/dt) ≥50V/ns (Coss＜300pF) 4. Voltage overshoot<15% (Vpp＞960V) VGS voltage test & control range -0.7V~ -20V/0V Leakage current detection Detection range: 0.1uA~20mA. Accuracy: Option1: 0.1uA~0.999uA resolution 0.01uA accuracy: 1%±0.02uA Option2: 1.00uA~99.9uA resolution 0.1uA accuracy: 1%±0.2uA Option3: 100uA~999uA resolution 1uA accuracy: 1%±2uA Option4: 1.0mA~20.00mA resolution 0.1mA accuracy: 1%±0.2mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 700KG (typical) Dimensions of machine 800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H) 高温ダイナミックゲートバイアスエージングテストシステム 本システムは、第三世代SiC MOSトランジスタに対する動的高温ゲートバイアスバーンインテスト機能を提供し、各テストエリアで最大12ステーションを独立してバーンインテストできます。独立した12のパルスを設定可能で、テストゲートのリーク電流が相互に干渉しません。テストデバイスは室温+10°C～200°Cで使用可能で、テストデバイスのショート回路解除テスト機能を備えており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスの正常なテストに影響を与えません。 ・高速dv/dt>1V/ns ・nAリーク電流テスト ・閾値電圧テスト ・異なるデバイスのパッケージング、電力要件に応じたカスタマイズされたバーンインテストボードの提供 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 AEC-Q101、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション 半導体ディスクリートデバイス（SiC MOSトランジスタ）の高温動的ゲートバイアステストを実施可能です。 製品型番 型番 仕様 HAT-DHTRB01A Test temperature zone RT +10°C~200°C (thermal plate) Burn-in test zone 8 (scalable) Stations per zone 12 (typical) Test method VDs =0V VGS, off = VGS, min, recom and VGS, on =VGS, max VGS voltage control detection Test control range: ±40V Detection deviation: ±(1%+2LSB) Voltage resolution: 0.01V Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 15kHz~500kHz; Accuracy: 2%±2LSB (The maximum frequency depends on the voltage, DUT capacitance) 2. Square wave duty cycle 20%~80%: Accuracy:±2% 3. During the dynamic DGS test, the slope of the grid pole voltage can reach dv/dt>1V/ns (Ciss＜5nF) 4. Voltage overshoot<10% (test voltage amplitude is greater than 25V) Alarm voltage VGSTH 1. VGS voltage test & control range: 1~10V (100nA~50mA constant current source) 2. Resolution: 0.01V, Accuracy: 1%±0.01V IGS leakage currentdetection Detection range：1nA~99.9uA Option1: 1nA~99nA resolution 1nA leakage current detection deviation: 1%±2LSB Option2: 100nA to 999nA resolution 10nA Leakage current detection deviation: 1%±2LSB Option3: 1uA~99.9uA resolution 100nA Leakage current detection deviation: 1%±2LSB Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 700KG (typical) Dimensions of machine 800mm (W) x1400mm (D) x1950mm (H) 高温高湿ダイナミック逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、SiC MOSFETに対する動的高温および高湿度逆バイアスバーンインテストをAQG324テスト方法に基づいて実施します。各テストエリアで最大6ステーションのテストが可能で、独立したパルスソース構成を備えています。標準的な85°C/85%RHのテスト環境が提供され、テストデバイスに異常が発生したときのリジェクト機能を有しており、故障したデバイスをバーンインテストから自動的に切り離し、他のデバイスのテストに影響が出ない機能を有しています。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・dv/dt＞30V/ns（Coss＜300pF） ・全ステーションのデータを30秒で更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、デバイスの瞬間的な故障が他のステーションのバーンインプロセスに影響を与えない ・ステーションのバーンイン電圧の独立した制御機能により、単一ステーションのバーンインの制限超過を実現 ・実験者の安全を考慮した設計がされています 適用規格 AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101に対応 アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-DH3TRB01A 製品概要 Test temperature RT -20°C-180°C Test humidity 10%RH~98%RH Test Method VGS, off = VGS, min and VGS, on = VGS, max Burn-in test zone 14-16 Stations per zone 6 (typical) Voltage detection range 50V-1200V Voltage detection accuracy Detection deviation; ±(2%+1V) Pulse control 1. Pulse frequency (square wave): 10kHz~50kHz; Accuracy: 2%±2LSB 2.Square wave duty cycle 20%~80% Accuracy:±2% 3.Voltage rise rate (Dv/Dt) ≥30V/ns 4.Voltage overshoot<15% VGS voltage test & control range Customized according to the device: VGS voltage: Positive voltage+18V, +20V, +22V, 3 options Negative voltage -3V, -5V, 2 options Leakage current detection Detection range: 0.1uA~20mA Accuracy: Option1: 0.1uA~0.999uA resolution 0.01uA accuracy: 1%±0.02uA Option2: 1.00uA~99.9uA resolution 0.1uA accuracy: 1%±0.2uA Option3: 100uA~999uA resolution 1uA accuracy: 1%±2uA Option4: 1.0mA~20.00mA resolution 0.1mA accuracy: 1%±0.2mA Machine power supply Three-phase AC200V±38V Total weight 1200KG (typical) Dimensions of machine 1650mm(W)x1750mm(D)x1950mm(H) 高温逆バイアスエージングテストシステム 本システムは、室温+10℃～200℃で高温逆バイアスバーンインテストを実施できます。バーンインプロセス中、テストされるコンポーネントのリーク電流状態と電圧状態をリアルタイムで監視し、必要に応じてバーンインテストデータを記録・出力します。 ・nAレベルの リーク電流検出精度 ・全ステーションのデータを30秒で更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、コンポーネントの瞬時の故障が他のステーションのバーンインプロセスに影響を与えない ・ワークステーションのバーンイン電圧の独立した制御機能をカスタマイズし、単一ステーションのバーンイン過剰を排除 ・モジュールの上下ブリッジに対してバイアス電圧を同時に適用するための正負の電源をカスタマイズ可能 ・実験者の安全を考 慮した設計がされています 適用規格 MIL-STD-750D、AQG324に対応 アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-HTRB01A ディスクリート用 HAT-HTRB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃~200℃ Burn-in test zone 16 (16/32/40/48 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0~±2000V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 10nA-50mA Current detection accuracy ±(1%+10nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 8KW (typical) Total weight (6+1 disposition) 680KG (typical) Dimensions of machine (6+1 disposition) 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) 高温ゲートバイアスエージングテストシステム 本システムは、室温+10℃～200℃で高温逆バイアスバーンインテストを実施し、バーンインプロセス中にテストデバイスのリーク電流状態および電圧状態をリアルタイムで監視します。必要に応じてバーンインテストデータを記録し、テストレポートを出力します。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・全機器で30秒ごとのフルステーションデータ更新 ・カスタマイズ可能なステーションバーンイン電圧独立制御機能、単一ステーションのバーンイン限度超過排除 ・モジュールの上部および下部のブリッジに同時にバイアス電圧を適用できる正負の電源をカスタマイズ可能 ・実験者の安全を考慮した設計 適用規格 JESD22-A101 AQG324 GJB128 MIL-STD-750D アプリケーション MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCRなどに対応しています。 製品型番 型番 仕様 HAT-HTGB01A ディスクリート用 HAT-HTGB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃~200℃ Burn-in test zone 16 (16/32/40/48 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0 - ±100V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 1nA - 1mA Current detection accuracy ±(1%+1nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 8KW (typical) Total weight 680KG (typical) Dimensions of machine 1450mm(W) x 1450mm(D) x 2000mm(H) 高温高湿逆バイアスエージングテストシステム このシステムは、高温・高湿度（85℃、85％RH）のバーイン試験を実施できます。バーイン試験中に、テストされるコンポーネントのリーク電流状態と電圧状態をリアルタイムで監視し、必要に応じてバーイン試験データを記録およびエクスポートします。 ・nAレベルのリーク電流検出精度 ・30秒で全てのステーションデータを更新 ・ユニークな高電圧抑制回路により、部品の瞬間的な破壊が他のステーションの焼入れプロセスに影響を与えない ・ステーションごとの焼入れ電圧の独立した制御機能がカスタマイズ可能、単一のステーションでの焼入れ過剰値を排除 ・モジュールの上下ブリッジに対してバイアス電圧を同時に適用できるように、正負電源がカスタマイズ可能 ・実験者の安全を確保するための完全な安全措置 適用規格 MIL-STD-750D, AEC-Q101, JESD22-A101 アプリケーション 対象:MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、PIMモジュール、SCR など 製品型番 型番 仕様 HAT-H3TRB01A ディスクリート用 HAT-H3TRB11A モジュール用 製品概要 Test temperature zone 1 Test temperature RT +10℃-150℃ Test humidity 10%rh~98%rh Burn-in test zone 16 (8/16 zone optional) Stations per zone 80 (typical) Burn-in voltage range 0 - ±2000V Voltage detection accuracy ±(1%+2LSB) Current detection range 10nA-50mA Current detection accuracy ±(1%+10nA) Machine power supply Three-phase AC200V±38V Maximum power 10KW (typical) Total weight 1000KG (typical) Dimensions of machine 1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H)
