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biRAPID
GaNインバータ実験セット
HEK-INV-C
MHz級の高周波スイッチング実験が
すぐに可能なGaNインバータセット
GaN三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。
GaNSystems製GaN E-HEMTを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、スイッチング周波数最大5MHzでの動作が可能です。
24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。
MHz級の高周波スイッチング実験がすぐに可能な
GaNインバータセット
電源・負荷への配線のみですぐに高周波駆動実験が可能
多数の回路構成・動作条件で実験
サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能
操作ボードでスイッチング周波数・デッドタイム等を変更
HSDT-KIT-B（パワーエレクトロニクス開発用キット）併用で
ソフトウェア開発も可能
HEK-INV-C仕様
| 直流側電圧範囲 | 0V〜400V | P-N端子間電圧 |
|---|---|---|
| 交流側最大電流 | 12Arms | U、V、W端子電流 |
| 最大スイッチング周波数 | 1.5MHz(5MHz) | ロータリスイッチでは1.5MHzまで選択可能 HSDT-KIT-B(オプション)により5MHzまで駆動可能 |
| 最小デッドタイム | 30ns | ロータリースイッチによって選択可能 |
| 操作スイッチ | トグルスイッチ8個 / ロータリースイッチ1個 | |
| 表示用LED | 黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個 | |
| 制御方式 | チョッパ出力 単相交流出力 三相交流出力 |
スイッチにより制御方式が選択可能 |
| 保護機能 | 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 | 保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能 |
| 制御電源 | AC100V | |
| 装置サイズ | W: 209mm / D: 130mm / H: 186mm | 三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置 |
| 質量 | 2.35kg |
動作条件設定項目
| 運転/停止 | ゲート出力 / ゲート停止 | |
|---|---|---|
| 回路構成 | チョッパ動作 / インバータ動作 単相出力 / 三相出力 |
チョッパ動作時はU相のみ使用 単相出力時はU相とV相を使用 |
| 変調方式 | ユニポーラ変調 / バイポーラ変調 三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調 |
単相出力時 三相出力時 |
| スイッチング周波数設定 | 100kHz〜2MHz | ロータリースイッチにて切り替え可能 |
| デッドタイム設定 | 30ns〜100ns | ロータリースイッチにて切り替え可能 |
| 変調率設定 | 0〜1 | |
| インバータ基本波周波数 | 50Hz〜500Hz |
構成図
