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biRAPID
GaNインバータ実験セット
HEK-INV-C

MHz級の高周波スイッチング実験が
すぐに可能なGaNインバータセット

GaN三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。
GaNSystems製GaN E-HEMTを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、スイッチング周波数最大5MHzでの動作が可能です。
24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。

MHz級の高周波スイッチング実験がすぐに可能な
GaNインバータセット

電源・負荷への配線のみですぐに高周波駆動実験が可能

多数の回路構成・動作条件で実験

サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能
操作ボードでスイッチング周波数・デッドタイム等を変更

HSDT-KIT-B(パワーエレクトロニクス開発用キット)併用で
ソフトウェア開発も可能

HEK-INV-C仕様

直流側電圧範囲 0V〜400V P-N端子間電圧
交流側最大電流 12Arms U、V、W端子電流
最大スイッチング周波数 1.5MHz(5MHz) ロータリスイッチでは1.5MHzまで選択可能
HSDT-KIT-B(オプション)により5MHzまで駆動可能
最小デッドタイム 30ns ロータリースイッチによって選択可能
操作スイッチ トグルスイッチ8個 / ロータリースイッチ1個
表示用LED 黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個
制御方式 チョッパ出力
単相交流出力
三相交流出力
スイッチにより制御方式が選択可能
保護機能 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能
制御電源 AC100V
装置サイズ W: 209mm / D: 130mm / H: 186mm 三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置
質量 2.35kg

動作条件設定項目

運転/停止 ゲート出力 / ゲート停止
回路構成 チョッパ動作 / インバータ動作
単相出力 / 三相出力
チョッパ動作時はU相のみ使用
単相出力時はU相とV相を使用
変調方式 ユニポーラ変調 / バイポーラ変調
三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調
単相出力時
三相出力時
スイッチング周波数設定 100kHz〜2MHz ロータリースイッチにて切り替え可能
デッドタイム設定 30ns〜100ns ロータリースイッチにて切り替え可能
変調率設定 0〜1
インバータ基本波周波数 50Hz〜500Hz

構成図

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