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高温ダイナミックゲートバイアステストシステム
製品概要
HAT-DHTGB01A
高温ダイナミックゲートバイアステストシステム
本システムは、SiC MOSFETの高温ダイナミックゲートバイアス試験を実施できる装置です。各試験エリアに独立したパルス電源を備えた最大12ステーションの試験が可能です。そのため、試験デバイスのリーク電流Igssは互いに干渉しません。試験温度範囲は室温+10℃～200℃です。また、試験デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、試験中に故障したデバイスを自動的に切り離すことができます。
製品構成
| テスト温度 | RT +10℃～200℃ | |
|---|---|---|
| テスト方法 | Vds=0V Vgs, off = Vgs, min および Vgs, on = Vgs, max | |
| テストゾーン数 | 8 | |
| ゾーンあたりのステーション数 | 12（標準） | |
| 電圧検出範囲 | -30V～30V | |
| 電圧検出精度 | 検出誤差：±(1%+2LSB) | |
| パルス制御① | パルス周波数（方形波）：1kHz～500kHz | |
| 精度：2%±2LSB | ||
| パルス制御② | Duty比：20%～80%、精度：±2% | |
| パルス制御③ | 電圧立ち上がり速度（dV/dt）≧50V/ns | |
| パルス制御④ | 電圧オーバーシュート≦10% | |
| リーク電流検出範囲 | 1nA～99.9uA | |
| リーク電流精度① | 1nA～99nA、分解能：0.1nA、誤差：1%±2LSB | |
| リーク電流精度② | 100nA～999nA、分解能：10nA、誤差：1%±1LSB | |
| リーク電流精度③ | 1uA～99.9uA、分解能：0.1uA、誤差：1%±2LSB | |
| 電源電圧 | 三相 AC200V±20V | |
| 装置重量 | 750kg（typical） | |
| サイズ | 800mm(W)×1400mm(D)×1950mm(H) | |
| 対応規格 | AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101 | |
| 対応部品 | MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール | |
| PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなど | ||
