biRAPIDSiCインバータ実験セットHEK-INV-A すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット多数の回路構成・動作条件で実験 SiC三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM製SiC-MOSFETを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVAでの動作が可能です。24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。 すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット 電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能 多数の回路構成・動作条件で実験 サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更 ソフトウェア開発も HSDT-KIT-B（パワーエレクトロニクス開発用キット）併用でソフトウェア開発も可能 HEK-INV-A仕様 直流側電圧範囲 0V～400V P-N 端子間電圧 交流側最大電流 30Arms U、V、W 端子電流 最大スイッチング周波数 200kHz ロータリースイッチによって選択可能 最小デッドタイム 200ns ロータリースイッチによって選択可能 操作スイッチ トグルスイッチ8 個ロータリースイッチ1 表示用LED 黄: 8 個 / 赤: 4 個 / 緑: 5 個 制御方式 チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力 スイッチにより制御方式が選択可能 保護機能 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能 制御電源 AC100V 装置サイズ W: 215mm / D: 125mm / H: 150mm 三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置 動作条件設定項目 運転/停止 ゲート出力 / ゲート停止 回路構成 チョッパ動作 / インバータ動単相出力 / 三相出力 チョッパ動作時はU相のみ使用単相出力時はU相とV相を使用 変調方式 ユニポーラ変調 / バイポーラ変調 三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調 単相出力時相出力時 スイッチング周波数設定 10kHz〜200kHz ロータリースイッチにて切り替え可能 操作スイッチ トグルスイッチ8 個ロータリースイッチ1 デッドタイム設定 200ns〜600ns ロータリースイッチにて切り替え可能 変調率設定 0〜1 インバータ基本波周波数 50Hz〜500Hz 関連製品 biRAPIDGaNインバータ実験セットHEK-INV-C biRAPIDSiC三相インバータ回路ブロックHGCB-6A-401300 biRAPID組込制御ソフトウェア開発キットHSDT-KIT-B
