信頼性評価を、そのまま競争力へ
SiC／GaNを中心とした パワー半導体の信頼性評価・半導体評価を、 相談から量産支援までワンストップで対応。 AQG324対応試験や、 JEDEC規格に準拠したパワーサイクル試験をはじめ、 パワーデバイスの各種デバイス評価を支援します。 北九州の第三者評価施設 HS PowerDevice Lab HIBIKINOが、 開発のスピードと品質を支えます。
パワー半導体の信頼性評価・半導体評価、こんな課題はありませんか？
認証取得や品質確認には多数のサンプルを用いた信頼性評価が必要で、半導体評価に長い時間と労力がかかっている。
SiC／GaNなどのパワー半導体特有のダイナミック試験を、自社設備だけでは十分に行えない。
デバイス評価の結果やデバイス選定が経験・勘に頼りがちで、判断の根拠を社内外へ示しにくい。
デバイス単体の半導体評価から実機搭載時までを、一貫した条件で評価したい。
信頼性評価の課題を「外に出す」ことで、むしろ開発の近道になる
HS PowerDevice Lab HIBIKINOでは、SiC／GaNを中心とした パワー半導体の信頼性評価・半導体評価を実施。統一条件による客観的な評価データを基に、デバイス単体から実機搭載時までを体系的に評価します。デバイス選定や設計判断に必要となる、透明で根拠のあるデータを効率的に提供します。
ワンストップ体制
パワー半導体のデバイス評価から実機評価、デバイス選定、量産支援までを一貫してサポートします。
透明性のある第三者評価データ
客観的な半導体評価データによって、デバイス選定や設計判断を支援します。
評価時間とコストの圧縮
信頼性評価設備と評価ノウハウを活用し、開発時の評価負担を低減します。
回路・システム視点のフィードバック
パワー半導体単体の評価だけでなく、パワーエレクトロニクスの回路・システム視点から評価結果をフィードバックします。
パワー半導体の信頼性評価・半導体評価
半導体の信頼性評価は、 半導体デバイスが温度、湿度、電圧、電流などの さまざまなストレス条件下でも 長期間安定して動作できるかを確認するための重要な評価です。
特にSiC MOSFET、GaN、IGBT、 パワーモジュールなどの パワー半導体では、 高電圧・大電流・高温などの条件で使用されるため、 製品開発や量産前に適切な 信頼性評価を行うことが重要です。
HS PowerDevice Lab HIBIKINOでは、 パワー半導体の研究開発から製品化までの 各段階に応じた半導体評価を支援。 HTRB、HTGB、H3TRB、パワーサイクル試験などを通じて、 デバイスの耐久性・信頼性を評価します。
パワー半導体のデバイス評価
デバイス評価では、 SiC MOSFET、GaN、IGBT、 パワーモジュールなどのパワー半導体について、 電気的特性や熱特性、耐久性、信頼性などを評価します。
ヘッドスプリングでは、 デバイス単体の半導体評価だけでなく、 実際の回路・システムへの搭載を見据えた評価まで対応。 デバイス選定、設計検証、故障解析、 量産判断に必要となる客観的な評価データを提供します。
パワーエレクトロニクスの回路設計・システム開発で培った 技術とパワー半導体評価を組み合わせることで、 デバイス特性だけでは判断しにくい 実使用条件での性能についても評価・分析を支援します。
パワー半導体の信頼性評価・デバイス評価設備
SiC／GaNを中心としたパワー半導体の信頼性評価・半導体評価に対応する試験装置をラインアップ。AQG324対応試験や、JEDEC規格に準拠したパワーサイクル試験など、デバイス特性や評価目的に応じた各種デバイス評価を行います。
AQG324に対応したパワー半導体の信頼性評価
車載用パワーモジュールの品質ガイドライン「AQG324」に対応した、パワー半導体の信頼性評価を提供します。SiCなどを対象に、HTRB、HTGB、H3TRB、パワーサイクルなど各種試験に対応。最大96個の同時測定と、試験条件に応じたカスタマイズが可能です。