サービスService
SERVICE
提供サービス
開発の各フェーズを一貫してサポートします。
デバイス評価
SiC／GaN を含むパワー半導体の電気的特性をチップ単体から測定・取得します。
信頼性試験
バッチ処理と自動評価で、長時間を要する信頼性試験を効率的に実施します。
第三者レポート
客観データに基づく、透明性と根拠のある評価レポートを発行します。
最適デバイス選定支援
用途・実装条件に応じた比較評価で、データドリブンな選定を支援します。
基板設計
ゲート駆動回路やアートワークを含め、回路・システム視点で踏み込みます。
量産支援
実機搭載時までを体系的に評価し、品質向上と量産立ち上げに貢献します。
STANDARDS
AQG324 試験規格 対応。
車載パワーモジュールの品質ガイドライン AQG324 の各試験に対応。お客様のニーズに合わせたカスタマイズも可能です。
概要
今後パワーデバイスの中心となるSiCデバイス評価に柔軟に対応。 AQG324規格の新・動的評価項目に準拠した専用装置として、研究開発から量生産まで現場のニーズに応えます。
96個同時測定による高スループットと広い特性範囲を誇り、評価項目を絞り込むことで、高精度な分析・故障解析に直結するデータを提供します。
静的試験 Static Tests
| QL | 項目 | 試験内容 | ラインアップ |
|---|---|---|---|
| QL-01 | Power Cycling | ワイヤボンド・はんだ接合部の寿命試験（PCsec） | HAT-PC01A/02A/03A |
| QL-02 | Power Cycling | ワイヤボンド・はんだ接合部の寿命評価（PCmin） | HAT-PC01A/02A/03A |
| QL-03 | HTS | 高温保存試験 | お問い合わせ |
| QL-04 | LTS | 低温保存試験 | お問い合わせ |
| QL-05 | HTRB | 高温下でのドレイン／ゲートバイアス試験 | HAT-HTRB01A |
| QL-06 | HTGB | ゲート酸化膜信頼性試験 | HAT-HTGB01A |
| QL-07 | H3TRB | 高温高湿環境での逆バイアス試験 | お問い合わせ |
SiC 向け 追加試験項目 SiC / GaN
| QL | 区分 | 項目 | 試験内容 | ラインアップ |
|---|---|---|---|---|
| QL-08 | 静的 | HTFB | 高温環境での順方向バイアス試験 | お問い合わせ |
| QL-09 | 動的 | DGS | SiC の動的駆動時スイッチング不安定性評価 | HAT-DHTGB01A |
| QL-10 | 動的 | DRB | dv/dt による内部構造劣化評価 | HAT-DHTRB01A / 02A |
| QL-11 | 動的 | Dyn.H3TRB | 高温高湿条件での動的内部構造劣化評価 | HAT-DH3TRB01A / 02A |
FLOW
ご依頼の流れ
相談からレポート発行まで、一貫したスキームで支援します。まずはトライアル評価からでも承ります。
STEP 01
相談・受付
用途・要件のヒアリングと評価計画の立案
STEP 02
デバイス評価
統一条件での特性測定
STEP 03
信頼性試験
静的・動的試験の実施
STEP 04
第三者レポート
客観データと技術提言の提供
