評価設備Equipment
SERVICE
高温ダイナミック 逆バイアステストシステム
HAT-DHTRB01A
AQG-324
JEDEC JEP195
JEDEC JEP183
JESD22-A108
AEC-Q101/104
- 特 長
- ・各DUTごとにIdssを測定可能
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・試験中にリミット設定によるリジェクト(不良判定)
- ・試験中のDUT故障が他のDUTへテスト影響出ないよう制御
- ・同時試験条件数 8条件
主な仕様
- VDS Dynamic Voltage
- 0V～1700V ドレイン電圧の出力範囲
- dV/dt
- ≥50V/ns DUT毎にdV/dt調整可能
- Switching Frequency
- 0～200kHz スイッチング周波数
- VGS
- -0.7V～-20V ゲート電圧の出力範囲
- Idss Leakage Current
- 100nA～30mA 静的モードで測定
- Test sample
- 96個 8ゾーン×最大12ステーション 合計最大96個
対応デバイス (DUT)
- SiC-MOSFET
- Si IGBT / MOSFET
- GaN HEMT
※パッケージ: TO-247-3L/4L対応
システム構成
- サイズ:
- 800mm(W)×1400mm(D)×1950mm(H)
- 重量:
- 750kg
- 電源:
- AC200V 3相3線 最大20kW