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高温ダイナミック逆バイアステストシステム
製品概要
HAT-DHTRB01A
高温ダイナミック逆バイアステストシステム
本システムは、AQG324規格に準拠したSiC MOSFETの高温ダイナミック逆バイアス試験を実施できる装置です。各試験エリアに、独立したパルス電源を備えた最大12ステーションの試験が可能です。試験温度範囲は室温+10℃～200℃です。また、試験デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、故障したデバイスを試験から自動的に切り離すことができます。
製品構成
| テスト温度 | RT +10℃～200℃ | |
|---|---|---|
| テスト方法 | Vgs, off = Vgs, min および Vgs, on = Vgs, max | |
| テストゾーン数 | 8 | |
| ゾーンあたりのステーション数 | 12（標準） | |
| 電圧検出範囲 | 200V～1200V | |
| 電圧検出精度 | 検出誤差：±(1%+2LSB) | |
| パルス制御① | パルス周波数（方形波）：1kHz～100kHz | |
| 精度：2%±2LSB | ||
| パルス制御② | Duty比：20%～80%、精度：±2% | |
| パルス制御③ | 電圧立ち上がり速度（dV/dt）≧50V/ns | |
| パルス制御④ | 電圧オーバーシュート≦15% | |
| Vgs電圧試験・制御範囲 | -20V～-0.7V | |
| Vgs精度：1%±0.2V、Vgsオーバーシュート≦10% | ||
| リーク電流検出範囲 | 100nA～20mA | |
| リーク電流精度① | 100nA～1mA、分解能：0.1uA、誤差：1%±2LSB | |
| リーク電流精度② | 1mA～20mA、分解能：1uA、誤差：1%±2LSB | |
| 電源電圧 | 三相 AC200V±20V | |
| 装置重量 | 750kg（typical） | |
| サイズ | 800mm(W)×1400mm(D)×1950mm(H) | |
| 対応規格 | AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101 | |
| 対応部品 | MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール | |
| PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなど | ||
