信頼性評価装置
製品紹介
製品概要
HAT-DH3TRB01A
高温高湿ダイナミック逆バイアステストシステム
16テストゾーン
本システムは、AQG324規格に準拠したSiC MOSFETの高温高湿ダイナミック逆バイアス試験を実施する装置です。各試験エリアに独立したパルス電源を備え、最大6ステーションの試験が可能で、標準的な85℃/85%RHで試験できます。また、デバイスの短絡解除機能を備えており、他のデバイスの試験に影響を与えることなく、故障したデバイスを試験回路から自動的に切り離すことができます。
主要な特徴・仕様
- nAレベルのリーク電流を測定
- dv/dt＞30V/ns（Coss＜300pF）
- 全ステーションのデータを30秒で更新・独自の高電圧抑制回路により、試験デバイスの瞬間的故障が他のステーションのテストプロセスに影響を与えない
- 各ステーションの試験電圧の独立制御機能により、各ステーションのリミット超過を防止
- 実験者の安全を考慮した設計
仕様一覧
| テスト温度 | RT +10℃～125℃ | |
|---|---|---|
| テスト湿度 | 10%～98%RH | |
| テスト方法 | Vgs, off = Vgs, min および Vgs, on = Vgs, max | |
| テストゾーン数 | 16 | |
| ゾーンあたりのステーション数 | 6（標準） | |
| 電圧検出範囲 | 50V～1200V | |
| 電圧検出精度 | 検出誤差：±(1%+2LSB) | |
| パルス制御① | パルス周波数（方形波）：10kHz～50kHz 精度：2%±2LSB |
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| パルス制御② | 方形波デューティ比：20%～80%、精度：±2% | |
| パルス制御③ | 電圧立ち上がり速度（dV/dt）≧30V/ns | |
| パルス制御④ | 電圧オーバーシュート≦15% | |
| Vgs電圧試験・制御範囲 | -20V～+20V Vgs精度：1%±0.2V、Vgsオーバーシュート≦10% |
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| リーク電流検出範囲 | 100nA～30mA | |
| リーク電流精度① | 100nA～1mA、分解能：0.1uA、誤差：1%±2LSB | |
| リーク電流精度② | 1mA～30mA、分解能：1uA、誤差：1%±2LSB | |
| 電源電圧 | 三相 AC200V±20V | |
| 装置重量 | 1200kg（typical） | |
| サイズ | 1650mm(W)×1750mm(D)×1950mm(H) | |
| 対応規格 | AEC-Q102、AQG324、JESD22-A101 | |
|---|---|---|
| 対応部品 | MOSトランジスタ、ダイオード、トライオード、IGBTモジュール、 PIMモジュール、SiC、GaN、SCRなど |
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