評価設備Equipment
SERVICE
高温高湿ダイナミック逆バイアス テストシステム
HAT-DH3TRB01A
AQG-324
JEDEC JEP183A
AEC-Q101
JESD22-A101
AEC-Q104
- 特 長
- ・各DUTごとにIdssを測定可能
- ・nAレベルのリーク電流を測定
- ・試験中にリミット設定によるリジェクト(不良判定)
- ・DUT瞬間故障が他のステーションのテストに影響無い制御
- ・同時試験条件数 14条件
主な仕様
- VDS Dynamic Voltage
- 0V～1500V ドレイン電圧の出力範囲
- dV/dt
- ≥30V/ns DUT毎にdV/dt設定可能
- Switching Frequency
- 0～50kHz スイッチング周波数
- VGS
- 0V～-20V ゲート電圧の出力範囲
- Idss Leakage Current
- 100nA～20mA 精度±1%±2LSB（4レンジ自動切替）静的モードで測定
- Test sample
- 82個 14ゾーン×最大6ステーション 合計最大82
※ゾーン13,ゾーン14は5ステーション
対応デバイス (DUT)
- SiC-MOSFET
- Si IGBT / MOSFET
- GaN HEMT
※パッケージ: TO-247-3L/4L対応
システム構成
- コントローラサイズ:
- 600mm(W)×1450mm(D)×1915mm(H) 重量:390kg
- チャンバサイズ:
- 1600mm(W)×1710mm(D)×1910mm(H) 重量:750kg
- 電源:
- AC200V 3相3線 最大20kW