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GaNハーフブリッジ回路ブロック
HGCB-2B-401150
GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック
GaNSystems製GaN E-HEMT２個をハーフブリッジ構成で搭載し、パスケースサイズのフットプリントのコンパクトな回路ブロックです。
ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大スイッチング周波数5MHzでの駆動が可能です。
複数台を接続することで、インバータ等の構成にして使うことも可能です。
GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック
ゲート電源とゲート信号の入力でチョッパ回路動作が可能
弱電回路を準備するだけでGaNデバイスの動作が可能
シンプルでオープンな構造
少ない構成部品、各部のテストピンで実験に便利
回路図を公開しており設計リファレンスとして活用可能
HGCB-2B-401150仕様
| 装置サイズ | W: 106mm / D: 75mm / H: 55mm | 突起物除く |
|---|---|---|
| 質量 | 約370g | |
| 高圧側電圧範囲 | 0V〜400V | P-N間電圧 |
| 低圧側電圧範囲 | 0V〜380V | 高圧側より低いこと / P-AC間、AC-N間電圧 |
| 低圧側電流範囲 | ±15A | AC端子入出力電流 / スイッチング周波数、電圧によりディレーティングあり |
| スイッチング周波数 | 〜5MHz | |
| デッドタイム | 30ns以上 | アーム短絡防止機能搭載 |
外部インターフェース仕様
| ゲート信号 | Input | 5V TTL / 負論理 / 入力部は4.7kΩでプルアップ |
|---|---|---|
| エラーリセット信号 | Input | 5V TTL / 負論理(リセット時Low) / 入力部は4.7kΩでプルアップ |
| エラー信号 | Output | 5V TTL / 負論理(エラー時Low) / 過熱保護検出時出力 |
ディレーティング
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機能ブロック図
