SiC搭載回路ブロック | ヘッドスプリング株式会社

本製品はローム社製トレンチ構造SiC-MOSFETを搭載したハーフブリッジ回路（インバータ一相分）です。SiCパワーデバイスの評価用としては勿論、1台で約7kWの出力が可能なため負荷を用いた試験も実施可能です。

● 本製品はローム（株）トレンチ構造SiC-MOSFET「SCT3030AL」を適用した回路ブロックです。

● 本製品はSiCパワーデバイス2個、ゲートドライブ回路が搭載されており、基板、ヒートシンク、FANで構成されます。

● 各SiCパワーデバイスを駆動するゲート信号および電源を外部から入力します。

● 本製品を使用するためには、別途、外付け電解コンデンサ、24Vおよび5V電源、基板間配線、コントローラなどを準備していただく必要があります。

● 制御部と主回路部を絶縁した設計となっています。

● アーム短絡、ゲートドライブ部電圧低下に対しての保護機能を有しており、ゲートパルスパターンが誤っていた場合にも破壊に至りにくい設計となっています。

● SiC-MOSFETと絶縁されたゲートドライブ回路、ゲート電源回路を搭載: SiCデバイスの試験環境を簡単に構築することができます。例えば、弱電回路のみでSiCデバイスの動作や試験をすることが可能で、誤動作に大きく影響する絶縁の設計が省略可能です。
● シンプルでオープンな構造: SiCの特性や周辺回路の動作の確認が容易です。具体的には、テストピンが各部に配置されているので計測しやすく、また装置構成部品が少ないため回路動作の確認が簡単です。
● 回路図等の設計資料を公開: 理論と実動作の両方を検討でき設計リファレンスとして利用することが可能です。また、ユーザ側が用途に合わせて改造することも可能です。
※ご要望に合わせてカスタムや応用試作も承ります。