PRODUCTS biRAPIDGaNハーフブリッジ回路ブロックHGCB-2B-401150 GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック GaNSystems製GaN E-HEMT2個をハーフブリッジ構成で搭載し、パスケースサイズのフットプリントのコンパクトな回路ブロックです。 ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大スイッチング周波数5MHzでの駆動が可能です。 複数台を接続することで、インバータ等の構成にして使うことも可能です。 GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック ゲート電源とゲート信号の入力でチョッパ回路動作が可能 弱電回路を準備するだけでGaNデバイスの動作が可能 シンプルでオープンな構造 少ない構成部品、各部のテストピンで実験に便利 回路図を公開しており設計リファレンスとして活用可能 HGCB-2B-401150仕様 装置サイズ W: 106mm / D: 75mm / H: 55mm 突起物除く 質量 約370g 高圧側電圧範囲 0V〜400V P-N間電圧 低圧側電圧範囲 0V〜380V 高圧側より低いこと / P-AC間、AC-N間電圧 低圧側電流範囲 ±15A AC端子入出力電流 / スイッチング周波数、電圧によりディレーティングあり スイッチング周波数 〜5MHz デッドタイム 30ns以上 アーム短絡防止機能搭載 外部インターフェース仕様 ゲート信号 Input 5V TTL / 負論理 / 入力部は4.7kΩでプルアップ エラーリセット信号 Input 5V TTL / 負論理(リセット時Low) / 入力部は4.7kΩでプルアップ エラー信号 Output 5V TTL / 負論理(エラー時Low) / 過熱保護検出時出力 ディレーティング 機能ブロック図 関連コラム 一覧へ HOME PRODUCTS biRAPIDGaNハーフブリッジ回路ブロックHGCB-2B-401150 ご相談・お問い合わせ 電話する 検索する TOP