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GaNハーフブリッジ回路ブロック
HGCB-2B-401150

GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック

GaNSystems製GaN E-HEMT2個をハーフブリッジ構成で搭載し、パスケースサイズのフットプリントのコンパクトな回路ブロックです。
ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大スイッチング周波数5MHzでの駆動が可能です。
複数台を接続することで、インバータ等の構成にして使うことも可能です。

GaN E-HEMTのハーフブリッジ回路ブロック

ゲート電源とゲート信号の入力でチョッパ回路動作が可能
弱電回路を準備するだけでGaNデバイスの動作が可能

シンプルでオープンな構造

少ない構成部品、各部のテストピンで実験に便利
回路図を公開しており設計リファレンスとして活用可能

HGCB-2B-401150仕様

装置サイズ W: 106mm / D: 75mm / H: 55mm 突起物除く
質量 約370g
高圧側電圧範囲 0V〜400V P-N間電圧
低圧側電圧範囲 0V〜380V 高圧側より低いこと / P-AC間、AC-N間電圧
低圧側電流範囲 ±15A AC端子入出力電流 / スイッチング周波数、電圧によりディレーティングあり
スイッチング周波数 〜5MHz
デッドタイム 30ns以上 アーム短絡防止機能搭載

外部インターフェース仕様

ゲート信号 Input 5V TTL / 負論理 / 入力部は4.7kΩでプルアップ
エラーリセット信号 Input 5V TTL / 負論理(リセット時Low) / 入力部は4.7kΩでプルアップ
エラー信号 Output 5V TTL / 負論理(エラー時Low) / 過熱保護検出時出力

ディレーティング

機能ブロック図