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PRODUCTS組込回路ブロック三相インバータ(GaN)HGCB-6B-401120

GaNパワーデバイス搭載で最大5MHzの駆動が可能
モータドライブや系統連系インバータなど多彩な
アプリケーションに使える三相インバータ

本製品はGaN Systems社製GaN E-HEMT「GS66508B」を搭載した三相インバータ回路です。スイッチング周波数が最大5MHzで駆動可能なため、非接触給電などの高周波アプリケーションの試験にもお使いいただけます。

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概要

● 機能試作・基礎実験などパワーエレクトロニクスのR&D分野での使用に適した機能を持つ実験用ハードウェアです。実験環境の構築を迅速に行うことが可能です。

● HGCB-6B-401120はGaN E-HEMT 6個、ゲートドライブ回路、センサ回路が三相インバータの構成で搭載されており、基板、ヒートシンク、電圧/電流センサ、FANで構成されます。

● 各GaNパワーデバイスを駆動するゲート信号および電源を外部から入力します。本製品を使用するためには、別途、24Vおよび5V電源、基板間配線、コントローラなどを準備していただく必要があります。

● 制御部と主回路部を絶縁した設計となっています。

● ゲートドライブ部電圧低下、過電圧/過電圧に対する保護機能、各レグ内の同時ON防止機能などを有しており、ゲートパルスパターンが誤っていた場合、制御の変動の際にも破壊に至りにくい設計となっています。

● 回路図などの設計資料が付属しており、お客様が用途に合わせて改造可能です。

特徴

● 実験環境を早く、簡単に構築可能
GaNパワーデバイスに合わせて設計されたゲート駆動回路・ゲート電源回路を搭載しており、サージや誤点弧などの問題を気にせず駆動できるため、実験時のトラブル対応時間を削減できます。また、信号回路・電源回路共に絶縁されているため、ユーザは24V・5Vの電源とゲート信号のみでスイッチングをさせることが可能です。別売のコントローラや開発支援キットとの組合せにより実験準備の時間を削減できます。

コントローラやソフトウェア等がセットになった「GaNインバータ実験キット」はこちらをご覧ください。

● GaNデバイスを使用した研究開発に幅広く使用可能
基板内の素子毎に個別にゲート信号を入力して駆動することができるので、主回路の配線を変えるだけで、三相インバータ以外の回路、例えばフルブリッジやハーフブリッジ、チョッパ回路を容易に構成することが可能です。また、モータ駆動や系統連系インバータなど多彩なアプリケーションにご利用いただけます。
● 設計資料(回路図)を公開
回路図が付属するため、使用部品・回路構成を参照することが可能です。SiC駆動回路のリファレンスとして設計の流用ができるほか、回路パラメータチューニングなどの改造も可能となっており、設計・検討のサポートにご利用いただけます。
GaNインバータ展示

仕様(型番:HGCB-6B-401120)

仕様(型番:HGCB-6B-401120)詳細

外部インターフェース

外部インターフェース

機能ブロック図

機能ブロック図

ディレーティング

ディレーティング

Q&A

どのような用途に適していますか?
R&D向けのため、特に用途は限定しておらず汎用的にお使いいただけるよう設計されています。実績としては、モータドライブ、非接触給電、誘導加熱、放電加工、パワーコンディショナなど、様々なアプリケーションでの実験環境構築にご利用いただいております。
入力するゲート信号を生成する製品はありますか?
コントローラを販売しています。また、センサ基板など周辺機器もご用意しています。詳細はこちらをご参照ください。
アカデミックプライスはありますか?
本製品にはアカデミックプライスがございます。お問い合わせください。