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NEWSお知らせ

  • 2018年4月18日組込回路ブロック 三相インバータ(GaN)販売開始のお知らせ

    当社では、2017年にリリースしたGaNパワーデバイス搭載回路ブロックに続き、モータドライブや系統連系インバータなどのアプリケーション開発に適した「組込回路ブロック 三相インバータ(GaN)」を開発いたしました。本製品は 2018年5月に受注開始、2018年6月に出荷開始を予定しております。

     

    「組込回路ブロック 三相インバータ(GaN) 」ご紹介資料

     

    2018年4月18日~4月20日に幕張メッセにて開催されますTECHNO-FRONTIER 2018にて、本製品を参考出展します。ブース番号は「6D-34」です。是非ご来場ください。

     

    GaNはSiCとならびワイドギャップ半導体と言われ、高絶縁耐圧と低導通抵抗という物理特性を併せ持っています。特にGaNはパワーデバイスの中でも高周波用途に適した素子であり、従来のSiデバイスと比較し10-100倍程度の高周波スイッチングができるため、周辺部品の小型化・低コスト化を可能にします。
    一方で、GaNパワーデバイスはそのゲートドライブ技術が確立されていないことや、高周波でスイッチングするためノイズの影響が大きいことなどから、GaNを搭載した回路設計のハードルが高い状況であります。手軽にGaNを新規開発にご使用頂けるように、本製品を開発いたしました。どうぞ、ご覧ください。